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HB510D型(xing)腦電仿生電刺(ci)激儀結構及組成(cheng)/主要組成(cheng)成(cheng)分： 腦電仿生電刺(ci)激儀HB系(xi)列由主機、治(zhi)療帽(mao)、輸出線、電源線和電極組成(cheng)

HB510B型腦電(dian)仿生電(dian)刺激儀結構(gou)及組成/主(zhu)要組成成分： 腦電(dian)仿生電(dian)刺激儀HB系列由主(zhu)機、治療帽、輸出線、電(dian)源線和(he)電(dian)極組成

HB120D型肌電(dian)生(sheng)物反饋治療儀(yi)結構及組成(cheng)/主要組成(cheng)成(cheng)分(fen)： 肌電(dian)生(sheng)物反饋儀(yi)由主機、輸出線(xian)、電(dian)源線(xian)、電(dian)極組成(cheng)。

HB120B型肌電生物(wu)反饋儀(yi)結構及組(zu)成/主要組(zu)成成分： 由(you)主機、輸出線(xian)、電源線(xian)、電極組(zu)成。

CMS4100動態腦(nao)電圖儀由記錄(lu)盒和(he)分析軟件組成(cheng)。記錄(lu)盒體積小，操(cao)作界(jie)面(mian)方(fang)便、快捷；采用(yong)大(da)容(rong)量的T-Flash卡存(cun)(cun)儲(chu)，可(ke)實現8導(dao)聯腦(nao)電波形(xing)的采集，連續記錄(lu)時(shi)間可(ke)達24小時(shi)，并(bing)可(ke)回放(fang)存(cun)(cun)儲(chu)的腦(nao)電波形(xing)。分析軟件操(cao)作界(jie)面(mian)清(qing)晰、明(ming)了易(yi)于操(cao)作并(bing)可(ke)對存(cun)(cun)儲(chu)在記錄(lu)盒中的腦(nao)電波形(xing)進(jin)行回放(fang)和(he)數據分析。